有限会社スパッタラボ

スパッタリング装置

　下記のカテゴリごとにお客様のご要求に適った方式・構成を選択して、スパッタリング装置のご提案、そして設計･製作をさせていただきます。各項目の中には、同時選択が困難な組合せも存在しますが、詳しくはお問い合わせください。

（１）高性能マグネトロンスパッタリング

低ガス圧動作型、ワイドエロージョン型等のスパッタ源を用います。

（２）反応性スパッタリング

独自のインプロセスモニタ・コントロール技術を用い、膜組成および成膜速度の制御を行います。

（３）バイアススパッタリング

RF印加型、DC印加型、及び独自のプラズマ技術を用いた外部からの電圧印加不要のバイアススパッタリングが可能です。

（４）多元同時スパッタリング

複数のスパッタ源と基板の高速回転を用いる方式のほか、静止対向同時スパッタリングも可能です。

※その他、ヘルムホルツコイル付設RF2極スパッタリング、3極スパッタリング、同軸マグネトロンスパッタリング等の古い従来技術への対応も可能です。

（１）平行平板型

基板ホルダをターゲットと対向させる最も基本的な構造です。基板ホルダを回転させることも可能です。

（２）偏心回転型

平行平板型の変形で、小型のスパッタ源を用いて比較的大面積の膜厚均一性を得るのに適しています。

（３）カルーセル型

比較的小さな基板、または短冊状の基板の大量処理に最適です。

（４）多機能集約型

基板回転、基板加熱または水冷、及び基板バイアス印加の機能を同時に実現します。

（１）熱伝導加熱式
（２）輻射加熱式
（３）水冷式

の中から選択します。基板加熱温度は最大900℃まで対応可能です。

（１） 1対1接続

スパッタ電源とターゲットとを1対1で接続する最も基本的な方式です。スパッタ電源がRFの場合にはマッチングボックスを介しての接続となります。

（２）ターゲット切換式

複数のターゲットを同時にスパッタする必要はなく、いずれかを選択して使用する場合には、切換器を介して各ターゲットに接続することが可能です。

（３）容量バランス型

1台のRF電源を用いて複数のターゲットを同時に動作させることが可能です。

（４） RF+DC重畳式

ひとつのターゲットに対して、RFとDCを重畳して印加します。

（１）簡易ロードロック機構

（２）トレイ方式受け渡し搬送

（３）真空ロボット搬送
　

等、種々の用途に応じて対応いたします。特に、独自の設計による自己封止機能付き搬送機構を用いた簡易ロードロックは、研究目的に極めて有用です。

標準的には、メインポンプとしてターボ分子ポンプを用い、スパッタチャンバの到達圧力1～5×10 -5Paを得るような排気系およびチャンバの設計をいたします。ご希望に応じて、超高真空仕様を含め各種排気系に対応します。